Resumo A condutividade elétrica de filme fino de tantalato de lítio sobre substrato de silício foi estudada. A estrutura de filme foi preparada por pulverização por magnétron RF. Em geral as características de corrente-tensão foram assimétricas e similares às de um diodo. As características de corrente-tensão tiveram várias seções associadas a vários mecanismos de transporte de portadores de corrente. O principal mecanismo de condutividade foi relacionado à corrente limitada por carga espacial. As características de corrente-tensão mostraram que havia incompatibilidade entre as conduções avante e a ré. Uma das razões para esse comportamento é um acúmulo de carga espacial devido aos portadores de carga que foram injetados no eletrodo e não relaxaram.

Abstract The electrical conductivity of lithium tantalate thin film on the silicon substrate was studied. The film structure was prepared by RF magnetron sputtering. In general, the current-voltage characteristics were asymmetric and similar to that of a diode. The current-voltage characteristics had several sections associated with various transport mechanisms of current carriers. The main conductivity mechanism was related to the space-charge-limited current. The current-voltage characteristics showed that there was a mismatch between the forward and backward runs. One of the reasons for such behavior is a space charge accumulation due to charge carriers which were injected from the electrode and did not relax.